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文献
J-GLOBAL ID：201502203076422310
整理番号：15A0992819
全線量照射下での部分空乏化SOI NMOSのバックゲート効果に及ぼすりんイオン注入の効果【Powered by NICT】
Effect of phosphorus ion implantation on back gate effect of partially depleted SOI NMOS under total dose radiation
Li Leilei
(School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an)
,
Zhou Xinjie
(The 58th Res. Inst. of China Electronics Technol. Group Corp., Wuxi)
,
Yu Zongguang
(School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an)
,
Feng Qing
(The 58th Res. Inst. of China Electronics Technol. Group Corp., Wuxi)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 36 号： 1 ページ： 014006-1-014006-4 発行年： 2015年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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