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文献
J-GLOBAL ID：201502203149375365
整理番号：15A0602636
融液成長希薄磁性半導体Ge1-xVxのエントロピー最大化電荷密度分布における反強磁性の特徴
Signature of antiferromagnetism in entropy maximized charge density distribution of melt grown diluted magnetic semiconductor Ge1-xVx
SHEEBA R. A. J. R.
(The Madura Coll., Res. Centre and PG Dep. of Physics, 625 011, Madurai, IND)
,
SARAVANAN R.
(The Madura Coll., Res. Centre and PG Dep. of Physics, 625 011, Madurai, IND)
,
BERCHMANS L. J.
(CECRI, Electropyrometallurgy Div., 630 006, Karaikudi, IND)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26 号： 6 ページ： 3772-3780 発行年： 2015年06月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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