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文献
J-GLOBAL ID：201502203207455910
整理番号：15A0976388
再構成可能なSPINベースの固体プラズマチャネルのシミュレーションと構造解析
Simulation and structure analysis of reconfigurable solid plasma channel based on SPINs
ZHAI Yucui
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHAI Yucui
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHAI Yucui
(Dep. of Mathematics and Physics, Officers Coll. of CAPF, Chengdu 610213, CHN)
,
WU Qin
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
WU Qin
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
TAN Jianjun
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
TAN Jianjun
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
TAO Hong
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
TAO Hong
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
HUANG Xiaolei
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
HUANG Xiaolei
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
GAO Fuhua
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
GAO Fuhua
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
GAO Fuhua
(Sino-British Joint Materials Res. Inst., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
,
ZHU Jianhua
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHU Jianhua
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHU Jianhua
(Sino-British Joint Materials Res. Inst., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
,
ZHANG Zhiyou
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHANG Zhiyou
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
ZHANG Zhiyou
(Sino-British Joint Materials Res. Inst., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
,
DU Jinglei
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
DU Jinglei
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
DU Jinglei
(Sino-British Joint Materials Res. Inst., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
,
HOU Yidong
(School of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
,
HOU Yidong
(High Energy Density Physics of the Ministry of Education Key Lab., Sichuan Univ., Chengdu, Sichuan 610064, CHN)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 145 ページ： 49-52 発行年： 2015年09月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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