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文献
J-GLOBAL ID：201502203212019281
整理番号：15A1321093
Ir(100)基板上でのパターン形成した核形成成長を介した自立ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜に関するウエハ湾曲制御
Wafer bowing control of free-standing heteroepitaxial diamond (100) films grown on Ir(100) substrates via patterned nucleation growth
YOSHIKAWA Taro
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
,
KODAMA Hideyuki
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
,
KONO Shozo
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
,
SUZUKI Kazuhiro
(Toplas Engineering Co., Ltd., Chofu, Tokyo 182-0006, JPN)
,
SAWABE Atsuhito
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 594 号： PA ページ： 120-128 発行年： 2015年11月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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