文献
J-GLOBAL ID:201502203300504556
整理番号:15A1343280
1回及び反復化学蒸着により製作された多層MoS2:異常Ramanシフトと高いオンオフ比率を有するトランジスタ
Multilayer MoS2 prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio
著者 (8件):
WU Chong-Rong
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WU Chong-Rong
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
CHANG Xiang-Rui
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Shu-Wei
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
CHANG Chung-En
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
WU Chao-Hsin
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN Shih-Yen
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN Shih-Yen
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
48
号:
43
ページ:
435101,1-7
発行年:
2015年11月04日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)