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文献
J-GLOBAL ID：201502203328832930
整理番号：15A0647945
HfO2系ゲート酸化膜のためのTMAとMgCp2を利用するGe基板のin situ表面クリーニング
In situ surface cleaning on a Ge substrate using TMA and MgCp2 for HfO2-based gate oxides
OH Il-Kwon
(School of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei Univ., 262 Seongsanno, Seodaemun-gu, Seoul, Korea. ...)
,
KIM Kangsik
,
LEE Zonghoon
,
SONG Jeong-Gyu
,
LEE Chang Wan
,
THOMPSON David
,
LEE Han-Bo-Ram
,
KIM Woo-Hee
,
MAENG Wan Joo
,
KIM Hyungjun
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3 号： 19 ページ： 4852-4858 発行年： 2015年05月21日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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