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文献
J-GLOBAL ID：201502203457303766
整理番号：15A0457535
シリコンバイポーラ接合トランジスタに及ぼす電子及び陽子誘起相乗放射線効果のバイアス依存性
Bias dependence of synergistic radiation effects induced by electrons and protons on silicon bipolar junction transistors
LIU Chaoming
(School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
,
LI Xingji
(School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
,
YANG Jianqun
(School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
,
MA Guoliang
(School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
,
XIAO Liyi
(School of Astronautics, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
資料名：
Radiation Physics and Chemistry
(Radiation Physics and Chemistry)
巻： 111 ページ： 36-39 発行年： 2015年06月
JST資料番号： D0627A ISSN： 0969-806X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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