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文献
J-GLOBAL ID：201502203633088851
整理番号：15A0924217
HfO2抵抗スイッチング素子に於ける,サブフォーミング処理段階でのデュアルバイポーラ抵抗スイッチング
Dual bipolar resistive switching in the sub-forming regime of HfO2 resistive switching devices
RECHER Shani
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
YALON Eilam
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
RITTER Dan
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
RIESS Ilan
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
SALZMAN Joseph
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 111 ページ： 238-242 発行年： 2015年09月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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