文献
J-GLOBAL ID:201502203633088851
整理番号:15A0924217
HfO2抵抗スイッチング素子に於ける,サブフォーミング処理段階でのデュアルバイポーラ抵抗スイッチング
Dual bipolar resistive switching in the sub-forming regime of HfO2 resistive switching devices
著者 (5件):
RECHER Shani
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
YALON Eilam
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
RITTER Dan
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
RIESS Ilan
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
,
SALZMAN Joseph
(Technion Israel Inst. of Technol., Haifa, ISR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
111
ページ:
238-242
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)