文献
J-GLOBAL ID:201502203651037008
整理番号:15A1057622
過渡アプローチからのシリコン中の微視的電荷キャリア寿命
Microscopic charge carrier lifetime in silicon from a transient approach
著者 (4件):
HEINZ Friedemann D.
(Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2. 79110 Freiburg, DEU)
,
KASEMANN Martin
(IMTEK Freiburg, Georges-Koehler-Allee 106. 79110 Freiburg, DEU)
,
WARTA Wilhelm
(Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2. 79110 Freiburg, DEU)
,
SCHUBERT Martin C.
(Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2. 79110 Freiburg, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
12
ページ:
122101-122101-4
発行年:
2015年09月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)