文献
J-GLOBAL ID:201502203706202909
整理番号:15A0834613
マイクロ及びナノ電子素子に及ぼす高総電離線量と温度の影響
High-Total Ionizing Dose and Temperature Effects on Micro- and Nano-Electronic Devices
著者 (16件):
GAILLARDIN M.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
MARTINEZ M.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
GIRARD S.
(Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA)
,
GOIFFON V.
(Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
,
PAILLET P.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
LERAY J. L.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
MAGNAN P.
(Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
,
OUERDANE Y.
(Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA)
,
BOUKENTER A.
(Univ. Jean Monnet, Saint-Etienne, FRA)
,
MARCANDELLA C.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
DUHAMEL O.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
RAINE M.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
RICHARD N.
(DAM, CEA, Arpajon, FRA)
,
ANDRIEU F.
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
BARRAUD S.
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
FAYNOT O.
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
62
号:
3,Pt.3
ページ:
1226-1232
発行年:
2015年06月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)