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文献
J-GLOBAL ID：201502203720867107
整理番号：15A1004953
超高電圧絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用の厚い多層4H-SiCのエピタキシャル成長と評価
Epitaxial growth and characterization of thick multi-layer 4H-SiC for very high-voltage insulated gate bipolar transistors
MIYAZAWA Tetsuya
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind. (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN)
,
NAKAYAMA Koji
(Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN)
,
TANAKA Atsushi
(Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN)
,
ASANO Katsunori
(Power Engineering R&D Center, Kansai Electric Power Co., Inc., 3-11-20 Nakoji, Amagasaki, Hyogo 661-0974, JPN)
,
JI Shi-yang
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
KOJIMA Kazutoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
ISHIDA Yuuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind. (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 118 号： 8 ページ： 085702-085702-10 発行年： 2015年08月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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