文献
J-GLOBAL ID:201502203894818660
整理番号:15A1033156
パルスレーザー堆積した室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響
Effect of Atomically-stepped Single Crystal Substrates on Surface Formation of Nanogroove Arrays after Annealing of Epitaxial Thin Films Grown at Room-temperature by Pulsed Laser Deposition
著者 (3件):
松田晃史
(東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻)
,
笠原正靖
(東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻)
,
吉本護
(東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻)
資料名:
電気学会論文誌 C
(IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻:
135
号:
9
ページ:
1096-1097 (J-STAGE)
発行年:
2015年
JST資料番号:
S0810A
ISSN:
0385-4221
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)