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文献
J-GLOBAL ID：201502204231771233
整理番号：15A1407574
HgTe量子井戸中の二次元半金属の電子g因子の交換増強
Exchange enhancement of the electron g-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells
BOVKUN L. S.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
BOVKUN L. S.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
KRISHTOPENKO S. S.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
KRISHTOPENKO S. S.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
ZHOLUDEV M. S.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
ZHOLUDEV M. S.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
IKONNIKOV A. V.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
IKONNIKOV A. V.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
SPIRIN K. E.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
SPIRIN K. E.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
DVORETSKY S. A.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akad. Lavrent’eva 13 ...)
,
MIKHAILOV N. N.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akad. Lavrent’eva 13 ...)
,
MIKHAILOV N. N.
(Novosibirsk State Univ., ul. Pirogova 2, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
TEPPE F.
(Univ. Montpellier II, Lab. Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221, GIS-TERALAB, 34095, Montpellier, FRA)
,
KNAP W.
(Univ. Montpellier II, Lab. Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221, GIS-TERALAB, 34095, Montpellier, FRA)
,
GAVRILENKO V. I.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, ul. Ul’yanova 46, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
,
GAVRILENKO V. I.
(Lobachevsky State Univ. of Nizhny Novgorod, pr. Gagarina 23, 603950, Nizhny Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 49 号： 12 ページ： 1627-1633 発行年： 2015年12月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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