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文献
J-GLOBAL ID：201502204263402957
整理番号：15A1057785
水素化ダイヤモンドMISFETにおける正常なオンオフ特性の制御
Control of normally on/off characteristics in hydrogenated diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
LIU J. W.
(International Center for Young Scientists, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...)
,
LIAO M. Y.
(Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
IMURA M.
(Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
MATSUMOTO T.
(Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...)
,
SHIBATA N.
(Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...)
,
IKUHARA Y.
(Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...)
,
KOIDE Y.
(Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 118 号： 11 ページ： 115704-115704-6 発行年： 2015年09月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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