文献
J-GLOBAL ID:201502204300891017
整理番号:15A1021758
バンド間光励起下の公称非ドープn-Geとp-Ge試料中の絶縁破壊
Electrical breakdown in nominally undoped n-Ge and p-Ge samples under interband photoexcitation
著者 (1件):
BANNAYA V. F.
(Sholokhov Moscow State Humanitarian Univ., 109240, Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
9
ページ:
1160-1162
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)