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文献
J-GLOBAL ID：201502204463754458
整理番号：15A0556309
耐火性のイリジウムSchottkyゲート金属を有するシリコン基板上のInAs/AlSb HEMTのデバイス負荷評価
Device stress evaluation of InAs/AlSb HEMT on silicon substrate with refractory iridium Schottky gate metal
CHIU Hsien-Chin
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
LIN Wen-Yu
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
CHOU Chia-Yi
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
YANG Shih-Hsien
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
MAI Kai-Di
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
CHIU Pei-chin
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)
,
HSUEH W.J.
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)
,
CHYI Jen-Inn
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 138 ページ： 17-20 発行年： 2015年04月20日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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