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J-GLOBAL ID:201502204463754458   整理番号:15A0556309

耐火性のイリジウムSchottkyゲート金属を有するシリコン基板上のInAs/AlSb HEMTのデバイス負荷評価

Device stress evaluation of InAs/AlSb HEMT on silicon substrate with refractory iridium Schottky gate metal
著者 (8件):
CHIU Hsien-Chin
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
LIN Wen-Yu
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
CHOU Chia-Yi
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
YANG Shih-Hsien
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
MAI Kai-Di
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
CHIU Pei-chin
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)
HSUEH W.J.
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)
CHYI Jen-Inn
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN)

資料名:
Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)

巻: 138  ページ: 17-20  発行年: 2015年04月20日 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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