文献
J-GLOBAL ID:201502204504503385
整理番号:15A0924204
電荷トラップメモリ薄膜トランジスタの不揮発性メモリ動作における,酸化物ゲートスタックの厚さと幾何学的な変動の影響
Effects of thickness and geometric variations in the oxide gate stack on the nonvolatile memory behaviors of charge-trap memory thin-film transistors
著者 (7件):
BAK Jun Yong
(Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
,
KIM So-Jung
(Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
,
BYUN Chun-Won
(Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
PI Jae-Eun
(Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
RYU Min-Ki
(Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
HWANG Chi Sun
(Electronics & Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
YOON Sung-Min
(Kyung-Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
111
ページ:
153-160
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)