文献
J-GLOBAL ID:201502204604256512
整理番号:15A1140591
Si基板上エピタキシャル成長チタン酸バリウム薄膜の電流電圧キャラクタリゼーション
Current-voltage characterization of epitaxial grown barium titanate thin films on Si substrate
著者 (5件):
WU Zhigang
(Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...)
,
BIAN Jihong
(Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...)
,
WANG Zhiguang
(Northeastern Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 02115, Boston, MA, USA)
,
WU Zhongyu
(Virginia Tech, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 24061, Blacksburg, VA, USA)
,
YANG Yaodong
(Xi’an Jiaotong Univ., Multi-disciplinary Materials Res. Center, Frontier Inst. of Sci. and Technol., State Key Lab. ...)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
26
号:
11
ページ:
8315-8318
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)