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文献
J-GLOBAL ID：201502204690771009
整理番号：15A1047144
純窒素ガス中のポスト酸化アニーリングによる熱成長SiO2/4H-SiCの界面窒化
Interface nitridation of thermally-grown SiO2/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas
CHANTHAPHAN Atthawut
(Osaka Univ.)
,
CHENG Yen Hung
(Osaka Univ.)
,
HOSOI Takuji
(Osaka Univ.)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ.)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ.)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th ページ： ROMBUNNO.16A-1A-8 発行年： 2015年08月31日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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