文献
J-GLOBAL ID:201502204912222300
整理番号:15A1224984
窒素ドープSiCナノワイヤの窒素含有率および形態依存性電界放出特性および密度汎関数計算
Nitrogen content and morphology dependent field emission properties of nitrogen-doped SiC nanowires and density functional calculations
著者 (5件):
ZHAO Jian
(Key Lab. of Polymer Material Advanced Manufacturing Technol. of Shandong Provincial, Qingdao Univ. of Sci. and ...)
,
MENG Alan
,
ZHANG Meng
,
REN Weipeng
,
LI Zhenjiang
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
17
号:
43
ページ:
28658-28665
発行年:
2015年11月21日
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)