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文献
J-GLOBAL ID：201502204935062865
整理番号：15A0473245
VD=0.5Vでgm=646mS/mm,ION=1.03A/mm,IOFF=1.13μA/mm,SS=82mV/dec,DIBL=28mV/VのIn0.17Al0.83N/AlN/GaNトリプルT型Fin-HEMT
In0.17Al0.83N/AlN/GaN Triple T-shape Fin-HEMTs with gm=646mS/mm, ION=1.03A/mm, IOFF=1.13μA/mm, SS=82mV/dec and DIBL=28mV/V at VD=0.5V
ARULKUMARAN S.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
NG G.I.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
MANOJKUMAR C.M.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
RANJAN K.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
TEO K.L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
SHORON O.F.
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
RAJAN S.
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
DOLMANAN S.B.
(Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
TRIPATHY S.
(Inst. Materials Res. and Engineering, Agency of Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014 ページ： 594-597 発行年： 2014年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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