文献
J-GLOBAL ID:201502205108973439
整理番号:15A0446977
コンダクタンス法により分析したHfAlO/SiO2/Siスタックの酸化物構造依存界面層欠陥
Oxide structure-dependent interfacial layer defects of HfAlO/SiO2/Si stack analyzed by conductance method
著者 (2件):
DING Yi Ming
(Electrical and Computer Engineering Dep., New Jersey Inst. of Technol., East Newark, New Jersey 07102)
,
MISRA Durgamadhab
(Electrical and Computer Engineering Dep., New Jersey Inst. of Technol., East Newark, New Jersey 07102)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
33
号:
2
ページ:
021203-021203-8
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)