文献
J-GLOBAL ID:201502205125445765
整理番号:15A0777990
ピラーGeTe/Sb2Te3超格子トポロジカルスイッチングランダムアクセスメモリの製作プロセス
Fabrication process for pillar GeTe/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory
著者 (6件):
TAI Mitsuharu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA Masaharu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
OHYANAGI Takasumi
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Takahiro
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
AKITA Kenichi
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
TAKAURA Norikatsu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
5S
ページ:
05ED01.1-05ED01.6
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)