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文献
J-GLOBAL ID：201502205284900341
整理番号：15A1310199
III-Vゲートオールアラウンドトランジスタにおける空間時間熱輸送の三次元モデル化は,ナノワイヤ温度の高精度推定と最適化を可能とする
3D Modeling of Spatio-temporal Heat-transport in III-V Gate-all-around Transistors Allows Accurate Estimation and Optimization of Nanowire Temperature
WAHAB Muhammad Abdul
(Purdue Univ., IN, USA)
,
SHIN SangHoon
(Purdue Univ., IN, USA)
,
ALAM Muhammad Ashraful
(Purdue Univ., IN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 11 ページ： 3595-3604 発行年： 2015年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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