文献
J-GLOBAL ID:201502205299366970
整理番号:15A1215739
二重ゲートトンネル電界効果トランジスタの二次元半解析的モデル【Powered by NICT】
A 2-D semi-analytical model of double-gate tunnel field-effect transistor
著者 (4件):
Xu Huifang
(Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei)
,
Dai Yuehua
(Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei)
,
Li Ning
(Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei)
,
Xu Jianbin
(Inst. of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ., Hefei)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
36
号:
5
ページ:
054002-01-054002-07
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)