文献
J-GLOBAL ID:201502205326301940
整理番号:15A0792637
P/Eサイクリング前後の3D SONOSメモリにおけるトンネル酸化膜とポリSiチャネル捕獲の評価
Assessment of tunnel oxide and poly-Si channel traps in 3D SONOS memory before and after P/E cycling
著者 (8件):
LEE K.H.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
DEGRAEVE R.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
TOLEDANO-LUQUE M.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
ARREGHINI A.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
BREUIL L.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
BLOMME P.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
VAN den bosch G.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
VAN Houdt J.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
147
ページ:
45-50
発行年:
2015年11月01日
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)