文献
J-GLOBAL ID:201502205339093831
整理番号:15A1314647
多層黒リントンネルトランジスタの素子性能シミュレーション
Device performance simulations of multilayer black phosphorus tunneling transistors
著者 (4件):
LIU Fei
(Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
SHI Qing
(Dep. of Physics, McGill Univ., Montreal H3A 2T8, CAN)
,
WANG Jian
(Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
GUO Hong
(Dep. of Physics, McGill Univ., Montreal H3A 2T8, CAN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
20
ページ:
203501-203501-5
発行年:
2015年11月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)