文献
J-GLOBAL ID:201502205552598386
整理番号:15A1037550
ゾル-ゲル生成のナノ構造化n-ZnO/p-Siヘテロ接合ダイオードの作製および実験的特性評価
Fabrication and experimental characterization of a sol-gel derived nanostructured n-ZnO/p-Si heterojunction diode
著者 (5件):
SINGH Satyendra Kumar
(Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND)
,
HAZRA Purnima
(Shri Mata Vaishno Devi Univ., 182320, Kakaryal, Katra, IND)
,
TRIPATHI Shweta
(Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND)
,
CHAKRABARTI P.
(Motilal Nehru National Inst. of Technol., 211004, Allahabad, IND)
,
CHAKRABARTI P.
(Banaras Hindu Univ., Indian Inst. of Technol., 221005, Varanasi, IND)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
26
号:
10
ページ:
7829-7836
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)