文献
J-GLOBAL ID:201502205562680536
整理番号:15A0030570
シリコン基板上のGaNベースオプトエレクトロニクスデバイスのレビュー【Powered by NICT】
A review of GaN-based optoelectronic devices on silicon substrate
著者 (2件):
Zhang Baijun
(Sun Yat-sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou)
,
Yang Liu
(Sun Yat-sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou)
資料名:
Chinese Science Bulletin
(Chinese Science Bulletin)
巻:
59
号:
12
ページ:
1251-1275
発行年:
2014年
JST資料番号:
A0206B
ISSN:
1001-6538
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)