文献
J-GLOBAL ID:201502205799971136
整理番号:15A1041367
MOS技術における総電離線量効果と時効効果のコンパクトモデリング
Compact Modeling of Total Ionizing Dose and Aging Effects in MOS Technologies
著者 (3件):
SANCHEZ ESQUEDA I.
(Univ. Southern California, CA, USA)
,
BARNABY H. J.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
KING M. P.
(Sandia National Lab., NM, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
62
号:
4,Pt.1
ページ:
1501-1515
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)