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文献
J-GLOBAL ID：201502205916593139
整理番号：15A0518618
25nm InP高電子移動度トランジスタプロセスを使用した1THzにおける増幅の初めての実証
First Demonstration of Amplification at 1THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process
MEI Xiaobing
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
YOSHIDA Wayne
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LANGE Mike
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LEE Jane
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
ZHOU Joe
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LIU Po-Hsin
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LEONG Kevin
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
ZAMORA Alex
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
PADILLA Jose
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
SARKOZY Stephen
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LAI Richard
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
DEAL William R.
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 36 号： 4 ページ： 327-329 発行年： 2015年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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