文献
J-GLOBAL ID:201502206205215333
整理番号:15A0859581
MBEによってInP基板上に作製されたII-VI化合物半導体の光学デバイスに対するpサイド接触層の研究
Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE
著者 (4件):
TAKAMATSU Shingo
(Dep. of Engineering and Applied Sciences, Sophia Univ., 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, JPN)
,
NOMURA Ichirou
(Dep. of Engineering and Applied Sciences, Sophia Univ., 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, JPN)
,
SHIRAISHI Tomohiro
(Dep. of Engineering and Applied Sciences, Sophia Univ., 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, JPN)
,
KISHINO Katsumi
(Dep. of Engineering and Applied Sciences, Sophia Univ., 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
425
ページ:
199-202
発行年:
2015年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)