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文献
J-GLOBAL ID：201502207315760154
整理番号：15A0512410
Ge MOSFETの為のTCAD歪較正対ソース/ドレインストレッサーのナノビーム回折
TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs
BUEHLER Rudolf Theoderich
(imec, Leuven, BEL)
,
BUEHLER Rudolf Theoderich
(Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA)
,
ENEMAN Geert
(imec, Leuven, BEL)
,
FAVIA Paola
(imec, Leuven, BEL)
,
WITTERS Liesbeth Johanna
(imec, Leuven, BEL)
,
VINCENT Benjamin
(imec, Leuven, BEL)
,
HIKAVYY Andriy
(imec, Leuven, BEL)
,
LOO Roger
(imec, Leuven, BEL)
,
BENDER Hugo
(imec, Leuven, BEL)
,
COLLAERT Nadine
(imec, Leuven, BEL)
,
SIMOEN Eddy
(imec, Leuven, BEL)
,
SIMOEN Eddy
(Ghent Univ., Ghent, BEL)
,
MARTINO Joao Antonio
(Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA)
,
CLAEYS Cor
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 4 ページ： 1079-1084 発行年： 2015年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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