文献
J-GLOBAL ID:201502207352662066
整理番号:15A1215781
HfO_2/Hfベースバイポーラ抵抗メモリの特性【Powered by NICT】
Characteristics of HfO_2/Hf-based bipolar resistive memories
著者 (2件):
Bi Jinshun
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
,
Han Zhengsheng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
36
号:
6
ページ:
064010-01-064010-05
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)