文献
J-GLOBAL ID:201502207353257067
整理番号:15A0315326
ナノワイヤの表面不動態化によるAlドープCdO/Siナノワイヤアレイ/p型Siデバイスにおける界面改質とトラップ型転換
Interface modification and trap-type transformation in Al-doped CdO/Si-nanowire arrays/p-type Si devices by nanowire surface passivation
著者 (4件):
LIN Yow-Jon
(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
,
CHO Wei-Min
(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
,
CHANG Hsing-Cheng
(Dep. of Automatic Control Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
,
CHEN Ya-Hui
(Precision Instrument Support Center, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
資料名:
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻:
15
号:
3
ページ:
213-218
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W1579A
ISSN:
1567-1739
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)