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文献
J-GLOBAL ID：201502207353257067
整理番号：15A0315326
ナノワイヤの表面不動態化によるAlドープCdO/Siナノワイヤアレイ/p型Siデバイスにおける界面改質とトラップ型転換
Interface modification and trap-type transformation in Al-doped CdO/Si-nanowire arrays/p-type Si devices by nanowire surface passivation
LIN Yow-Jon
(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
,
CHO Wei-Min
(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
,
CHANG Hsing-Cheng
(Dep. of Automatic Control Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
,
CHEN Ya-Hui
(Precision Instrument Support Center, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 15 号： 3 ページ： 213-218 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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