文献
J-GLOBAL ID:201502207425954094
整理番号:15A0477002
高信頼性,高性能ReRAM及び3ビット/セルMLC NANDフラッシュ固体記録
Design Methodology for Highly Reliable, High Performance ReRAM and 3-Bit/Cell MLC NAND Flash Solid-State Storage
著者 (7件):
TANAKAMARU Shuhei
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
,
TANAKAMARU Shuhei
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAMAZAWA Hiroki
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
,
TOKUTOMI Tsukasa
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
,
NING Sheyang
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
,
NING Sheyang
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKEUCHI Ken
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻:
62
号:
3
ページ:
844-853
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
C0226B
ISSN:
1549-8328
CODEN:
ITCSCH
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)