文献
J-GLOBAL ID:201502207485677520
整理番号:15A1088803
AP-MOVPEによって成長したGaInNAs不均質層における歪み緩和の異方性
Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE
著者 (5件):
GELCZUK L.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
PUCICKI D.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
SERAFINCZUK J.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
DABROWSKA-SZATA M.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
DLUZEWSKI P.
(Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Al. Lotnikow 32/46, Warsaw 02-668, POL)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
430
ページ:
14-20
発行年:
2015年11月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)