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文献
J-GLOBAL ID：201502207636243128
整理番号：15A1215784
増強されたp型井戸と二重エピタクシーを用いた寄生バイポーラ効果を抑制することにより高信頼性RF-LDMOSの設計【Powered by NICT】
Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-well and double epitaxy
Xu Xiangming
(School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai)
,
Huang Jingfeng
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai)
,
Yu Han
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai)
,
Qian Wensheng
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai)
,
Zhou Zhengliang
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai)
,
Han Bo
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai)
,
Wang Yong
(School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai)
,
Wang Pengfei
(School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai)
,
Zhang David Wei
(School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 36 号： 6 ページ： 064013-01-064013-06 発行年： 2015年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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