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文献
J-GLOBAL ID：201502207769208820
整理番号：15A0628094
シリコン基板上へ成長させたGaN系MIS-HEMTにおける捕獲機構
Trapping mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs grown on silicon substrate
BISI Davide
(Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA)
,
MENEGHINI Matteo
(Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA)
,
VAN HOVE Marleen
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL)
,
MARCON Denis
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL)
,
STOFFELS Steve
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL)
,
WU Tian-Li
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL)
,
DECOUTERE Stefaan
(IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Heverlee, BEL)
,
MENEGHESSO Gaudenzio
(Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA)
,
ZANONI Enrico
(Dep. of Information Engineering, Univ. of Padova, via Gradenigo 6B, 35131, Padova, ITA)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212 号： 5 ページ： 1122-1129 発行年： 2015年05月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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