文献
J-GLOBAL ID:201502208148381410
整理番号:15A1189586
ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
Highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors with fluorine in a gate insulator
著者 (7件):
山崎はるか
(奈良先端科学技術大学院大)
,
石河泰明
(奈良先端科学技術大学院大)
,
藤井茉美
(奈良先端科学技術大学院大)
,
BERMUNDO Juan Paolo
(奈良先端科学技術大学院大)
,
高橋英治
(日新電機)
,
安東靖典
(日新電機)
,
浦岡行治
(奈良先端科学技術大学院大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
195(EMD2015 30-59)
ページ:
9-11
発行年:
2015年08月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)