文献
J-GLOBAL ID:201502208732382933
整理番号:15A1061845
InGaN/Siタンデム型太陽電池用にAlN/Si基板への厚い(約1μm)InGaNのMOVPE成長
MOVPE growth of thick (~1 μm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells
著者 (7件):
YAMAMOTO Akio
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO Akio
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KODAMA Kazuki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
HASAN Md. Tanvir
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
HASAN Md. Tanvir
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
8S1
ページ:
08KA12.1-08KA12.4
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)