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文献
J-GLOBAL ID：201502208763941744
整理番号：15A1248713
SiOxベース単極性メムリスタを用いた二方向電圧バイアス含意演算
Bidirectional voltage biased implication operations using SiOx based unipolar memristors
ZHOU Fei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
GUCKERT Lauren
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
CHANG Yao-feng
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
SWARTZLANDER Earl E.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
LEE Jack
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 107 号： 18 ページ： 183501-183501-5 発行年： 2015年11月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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