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文献
J-GLOBAL ID：201502208764059603
整理番号：15A1321123
a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In2O3:H
High mobility In2O3:H as contact layer for a-Si:H/c-Si heterojunction and μc-Si:H thin film solar cells
SCHERG-KURMES H.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
,
KOERNER S.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
,
RING S.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, PVcomB, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, DEU)
,
KLAUS M.
(Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, BESSY II, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, DEU)
,
KORTE L.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
RUSKE F.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
SCHLATMANN R.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, PVcomB, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, DEU)
,
RECH B.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
SZYSZKA B.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 594 号： PB ページ： 316-322 発行年： 2015年11月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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