文献
J-GLOBAL ID:201502208764059603
整理番号:15A1321123
a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In2O3:H
High mobility In2O3:H as contact layer for a-Si:H/c-Si heterojunction and μc-Si:H thin film solar cells
著者 (9件):
SCHERG-KURMES H.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
,
KOERNER S.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
,
RING S.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, PVcomB, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, DEU)
,
KLAUS M.
(Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, BESSY II, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, DEU)
,
KORTE L.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
RUSKE F.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
SCHLATMANN R.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, PVcomB, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, DEU)
,
RECH B.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Inst. Silicon Photovoltaics, Kekulestr. 5, 12489 Berlin, DEU)
,
SZYSZKA B.
(Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, DEU)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
594
号:
PB
ページ:
316-322
発行年:
2015年11月02日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)