文献
J-GLOBAL ID:201502208770989906
整理番号:15A1391807
誘電体/強誘電体コンポジットのバリアがあるマルチフェロイックトンネル接合における向上したメモリ関数
Improved memory functions in multiferroic tunnel junctions with a dielectric/ferroelectric composite barrier
著者 (7件):
RUAN Jieji
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
QIU Xiangbiao
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
YUAN Zhoushen
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
JI Dianxiang
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
WANG Peng
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
LI Aidong
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
WU Di
(National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
23
ページ:
232902-232902-4
発行年:
2015年12月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)