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文献
J-GLOBAL ID：201502208801420450
整理番号：15A0145815
応力耐性を改善した有機エレクトロニクスのカプセル封止用の無機ナノ積層障壁中への分子層堆積アルミニウムアルコキシド界面の集積
Integration of molecular-layer-deposited aluminum alkoxide interlayers into inorganic nanolaminate barriers for encapsulation of organic electronics with improved stress resistance
HOSSBACH Christoph
(Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU)
,
NEHM Frederik
(Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU)
,
SINGH Aarti
(Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU)
,
KLUMBIES Hannes
(Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU)
,
FISCHER Dustin
(Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU)
,
RICHTER Claudia
(Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU)
,
SCHROEDER Uwe
(Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU)
,
ALBERT Matthias
(Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU)
,
MUELLER-MESKAMP Lars
(Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU)
,
LEO Karl
(Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU)
,
MIKOLAJICK Thomas
(Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU)
,
BARTHA Johann W.
(Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33 号： 1 ページ： 01A119-01A119-9 発行年： 2015年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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