文献
J-GLOBAL ID:201502208848530565
整理番号:15A0792706
抵抗ランダムアクセスメモリ用酸化物の材料選択のAb initio計算
Ab initio calculations of materials selection of oxides for resistive random access memories
著者 (2件):
GUO Yuzheng
(Engineering Dept, Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR)
,
ROBERTSON John
(Engineering Dept, Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
147
ページ:
339-343
発行年:
2015年11月01日
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)