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J-GLOBAL ID：201502208861089036 整理番号：15A0485743

イオンビームスパッタリング堆積を利用した銅箔上の少数層六方晶窒化ほう素の成長制御

Controlled Growth of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride on Copper Foils Using Ion Beam Sputtering Deposition

著者 (7件)：

WANG Haolin

(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)

ZHANG Xingwang

MENG Junhua

YIN Zhigang

LIU Xin

ZHAO Yajuan

ZHANG Liuqi

資料名：

Small (Small)

巻： 11 号： 13 ページ： 1542-1547 発行年： 2015年04月
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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