文献
J-GLOBAL ID:201502208987759682
整理番号:15A0984220
MOSトランジスタの物理ベース安定性解析
Physics-based stability analysis of MOS transistors
著者 (8件):
FERRARA A.
(Univ. Twente, Enschede, NLD)
,
STEENEKEN P.G.
(NXP Semiconductors, NLD)
,
STEENEKEN P.G.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
BOKSTEEN B.K.
(Univ. Twente, Enschede, NLD)
,
HERINGA A.
(NXP Semiconductors, NLD)
,
SCHOLTEN A.J.
(NXP Semiconductors, NLD)
,
SCHMITZ J.
(Univ. Twente, Enschede, NLD)
,
HUETING R.J.E.
(Univ. Twente, Enschede, NLD)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
113
ページ:
28-34
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)