文献
J-GLOBAL ID:201502209186236757
整理番号:15A1057631
NiOにおける真性欠陥のエネルギー論および抵抗ランダムアクセスメモリ性能に対する結果
Energetics of intrinsic defects in NiO and the consequences for its resistive random access memory performance
著者 (3件):
DAWSON J. A.
(Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, Cambridge CB2 1PZ, GBR)
,
GUO Y.
(Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, Cambridge CB2 1PZ, GBR)
,
ROBERTSON J.
(Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, Cambridge CB2 1PZ, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
12
ページ:
122110-122110-5
発行年:
2015年09月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)