文献
J-GLOBAL ID:201502209261391470
整理番号:15A1310257
エレクトロフォーミング極性に依存するTiN/HfO2/Ptデバイスのライトワンスリードメニータイムとバイポーラ抵抗スイッチング特性
Write-Once-Read-Many-Times and Bipolar Resistive Switching Characteristics of TiN/HfO2/Pt Devices Dependent on the Electroforming Polarity
著者 (4件):
LI Yan
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
PAN Xuexue
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
ZHANG Yong
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
CHEN Xinman
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
11
ページ:
1149-1152
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)